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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術(shù)：半導體制造的關(guān)鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少
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[吉致動態(tài)]吉致電子：金剛石懸浮液的作用及功效（CMP拋光專用）[ 2025-06-06 17:14 ]
在半導體制造、精密光學、硬質(zhì)合金加工等領(lǐng)域，材料表面的超精密拋光直接決定了產(chǎn)品的性能與可靠性。吉致電子憑借先進的研發(fā)實力和成熟的工藝技術(shù)，推出高性能金剛石拋光液/研磨液系列產(chǎn)品，為高硬度材料提供高效、穩(wěn)定的拋光解決方案。吉致電子金剛石懸浮液產(chǎn)品（研磨液/拋光液）可滿足不同拋光需求，根據(jù)材料特性和工藝要求分為以下幾類：1. 按晶體結(jié)構(gòu)分類單晶金剛石拋光液：晶體結(jié)構(gòu)單一，切削力均勻，適合高精度表面拋光，減少亞表面損傷。多晶金剛石拋光液：由多向晶粒組成，材料去除率高，適用于高效粗拋和中拋。類多晶金剛石拋光液：兼具單晶和多
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[吉致動態(tài)]3C產(chǎn)品鏡面拋光解決方案：無麻點SiO2氧化硅拋光液[ 2025-06-06 15:33 ]
為什么3C產(chǎn)品鏡面拋光首選CMP而非電解拋光？在3C行業(yè)（手機、筆記本、智能穿戴等），電解拋光因易導致邊緣過蝕、材料限制等問題，逐漸被CMP（化學機械拋光）取代。吉致電子通過納米級SiO?拋光液的機械-化學協(xié)同作用，可實現(xiàn)：①納米級精度：表面粗糙度Ra＜2nm，滿足光學級鏡面要求②復雜結(jié)構(gòu)適配：適用于鋁合金中框、不銹鋼按鍵等異形件③效率提升：較傳統(tǒng)工藝縮短30%工時二氧化硅拋光液麻點問題深度解析客戶反饋的麻點問題多源于：硅溶膠腐蝕：低純度漿料中的Na?、Cl?引發(fā)金屬電化學腐蝕工藝缺陷：前道粗拋殘留劃痕＞0.1μm
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[吉致動態(tài)]Fujibo拋光墊國產(chǎn)替代挑戰(zhàn)與吉致電子解決方案[ 2025-05-30 11:42 ]
Fujibo（日本富士紡）是知名的拋光墊制造商，其產(chǎn)品廣泛應用于半導體、液晶顯示器（LCD）、硬盤（HDD）藍寶石襯底等精密加工領(lǐng)域。Fujibo拋光墊因其高精度拋光、均勻性、耐磨性好等特點，長期以來占據(jù)市場主導地位，但隨著國內(nèi)技術(shù)的突破和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，國產(chǎn)拋光墊正逐步實現(xiàn)對進口產(chǎn)品的替代。吉致電子作為國內(nèi)經(jīng)驗豐富的電子行業(yè)CMP拋光材料供應商，致力于為客戶提供高性價比的國產(chǎn)拋光墊解決方案，助力企業(yè)降本增效，保障供應鏈安全。國產(chǎn)拋光墊替代Fujibo的五大優(yōu)勢1. 顯著降低成本，提升競爭力國產(chǎn)拋光墊價格比Fujib
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[行業(yè)資訊]化學機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液[ 2025-05-28 14:39 ]
吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過科學配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢：適用于化學機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍寶石、碳化硅襯底、光學玻璃、精密陶瓷基板等半導體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出：獨特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設備無腐蝕，維護簡便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學機械協(xié)同作用機制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達到
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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點，半導體陶瓷CMP中的潛在應用方案：吉致電子CMP拋光液在半導體陶瓷中的應用半導體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應（如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]
在半導體、光學玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲不當（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不
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[吉致動態(tài)]碳化硅拋光墊選型指南：4道工序如何匹配CMP解決方案？[ 2025-05-02 09:00 ]
在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：碳化硅拋光墊選型要點一、碳化硅襯底粗磨階段需求：高材料去除率、強耐磨性。推薦：高硬度復合無紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設計增強研磨液流動性，避免碎屑堆積。二、碳化硅襯底精磨階段需求：平衡表面平整度與中等去除率。推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性，減少亞表面損傷。碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅襯底粗拋階段需求：過渡到低表面
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[吉致動態(tài)]Template無蠟吸附墊在半導體CMP中的應用[ 2025-04-29 15:33 ]
在硅片拋光（尤其是化學機械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動態(tài)]鉬襯底的應用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析[ 2025-04-23 09:51 ]
鉬（Mo）襯底憑借其高熔點（2623℃）、高熱導率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機械強度和耐腐蝕性，在半導體、光學、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應用場景解析其化學機械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點高達2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應力。高機械強度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導電性：適
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[吉致動態(tài)]先進半導體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進展[ 2025-04-22 16:26 ]
化學機械平坦化（CMP）工藝是半導體制造中的核心技術(shù)，其通過化學與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術(shù)積累可
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[吉致動態(tài)]吉致電子LED藍寶石襯底研磨拋光CMP工藝方案[ 2025-04-18 16:44 ]
藍寶石（α-Al2O3）因其高硬度、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和良好的光學性能，成為LED芯片制造的主流襯底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工過程極具挑戰(zhàn)性。吉致電子憑借CMP的研磨拋光技術(shù)，確保藍寶石襯底表面達到納米級平整度，為高性能LED外延生長奠定基礎。本文將詳細介紹藍寶石襯底的研磨拋光工藝及其技術(shù)優(yōu)勢。1. 藍寶石襯底的特性與加工挑戰(zhàn)材料特性：單晶結(jié)構(gòu)，高透光率（80%以上），耐高溫、耐腐蝕。加工難點：硬度高，傳統(tǒng)機械加工效率低且易產(chǎn)生損傷。表面要求極高（Ra＜0.5nm），否則影響外延層質(zhì)量。晶向（如c面
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[吉致動態(tài)]吉致電子TSV銅化學機械拋光液：助力3D先進封裝技術(shù)突破[ 2025-04-17 15:36 ]
在半導體技術(shù)飛速發(fā)展的當下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導通的微孔，并填充銅、鎢等導電材料，實現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的
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[吉致動態(tài)]藍寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應用[ 2025-04-11 15:47 ]
在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍寶石表面的風險，但在實際應用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑
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[行業(yè)資訊]【國產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！[ 2025-04-10 17:08 ]
半導體CMP工藝中,拋光墊是關(guān)鍵耗材，但進口品牌長期占據(jù)市場主導。吉致電子作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體材料供應商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國產(chǎn)替代IC1000級拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設計，拋光均勻性、去除率對標進口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應鏈依賴，價格更具競爭力，降低企業(yè)綜合
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[行業(yè)資訊]吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專家[ 2025-04-09 10:32 ]
吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質(zhì)基礎材質(zhì)，歷經(jīng)多道復雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專為金屬、光學玻璃、陶瓷、半導體芯片等對表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應對并滿足嚴苛的工業(yè)級拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學機械作用，可顯著提升材料去除速率，在對材料去除率有較高要求的場景中，能極大地縮短拋光時間，提升整體生產(chǎn)效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨特的微觀結(jié)
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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅(qū)動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關(guān)重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]氧化鋁懸浮液在化學機械拋光（CMP）中的應用與優(yōu)化[ 2025-04-02 14:04 ]
化學機械拋光（CMP）是半導體制造、光學玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機械磨削性能和化學可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導體精密電子材料供應商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標要求顆粒粒徑
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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟?；瘜W機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要
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