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吉致電子拋光材料 源頭廠家
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碳化硅拋光墊選型指南:4道工序如何匹配CMP解決方案?

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2025-05-02 09:00【

在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中,拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性(粗磨、精磨、粗拋、精拋)匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點(diǎn)及吉致電子產(chǎn)品的適配方案:
碳化硅拋光墊選型要點(diǎn)
一、碳化硅襯底粗磨階段
需求:高材料去除率、強(qiáng)耐磨性。
推薦:高硬度復(fù)合無(wú)紡布拋光墊JZ-1020,壓紋/開(kāi)槽設(shè)計(jì)增強(qiáng)研磨液流動(dòng)性,避免碎屑堆積。
二、碳化硅襯底精磨階段
需求:平衡表面平整度與中等去除率。
推薦:中硬度拋光墊,特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性,減少亞表面損傷。
碳化硅SiC襯底 研磨墊(JZ-1020粗磨/精磨)

吉致電子碳化硅研磨墊JZ-1020.jpg

三、碳化硅襯底粗拋階段
需求:過(guò)渡到低表面粗糙度,保持較高效率。
推薦:軟質(zhì)復(fù)合墊(如吉致電子改性聚氨酯墊JZ-2020),開(kāi)槽設(shè)計(jì)優(yōu)化CMP拋光液分布。

吉致電子碳化硅粗拋墊JZ-2020.jpg

四、碳化硅襯底精拋階段
需求:超低缺陷、納米級(jí)表面精度。
推薦:超細(xì)纖維無(wú)紡布或多孔聚氨酯墊JZ-326,高平坦性且易清洗(可替代Suba800/400)。

吉致電子碳化硅精拋墊JZ-326(無(wú)水印).jpg

吉致電子CMP拋光墊核心優(yōu)勢(shì)
· 材料技術(shù):復(fù)合無(wú)紡布+聚氨酯改性配方,兼顧硬度與彈性,適配碳化硅高硬度特性。
·工藝設(shè)計(jì):
·壓紋/開(kāi)槽結(jié)構(gòu):維持拋光液流動(dòng),減少沾粘,延長(zhǎng)壽命。
·耐酸堿材質(zhì):適合酸性(如SiO?膠體)或堿性拋光液環(huán)境。
·替代兼容性:可無(wú)縫替代Cabot Suba系列,性價(jià)比更高。
吉致電子服務(wù)流程
·1V1方案定制:提供晶圓尺寸、目標(biāo)粗糙度(Ra)、現(xiàn)有工藝參數(shù)等,吉致電子工程師制定拋光墊CMP PAD產(chǎn)品選型方案。(如JZ系列粗磨墊、JZ系列精拋墊)。
·免費(fèi)試樣:驗(yàn)證與現(xiàn)有工藝的兼容性。
·售后支持:拋光墊使用情況跟蹤回訪及技術(shù)指導(dǎo)。


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