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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析

文章出處：責(zé)任編輯：人氣：-發(fā)表時(shí)間：2025-04-25 10:52【大中小】

鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子半導(dǎo)體CMP平坦化解決方案
1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景
鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過拋光液、拋光墊、被拋磨工件的化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對(duì)互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。
2. 核心組分與作用機(jī)理

W鎢拋光液的核心組分及作用機(jī)理

3. W鎢拋光液的關(guān)鍵性能指標(biāo)
去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）
非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓
選擇比：W/SiO2＞50:1，W/SiN＞30:1
缺陷控制：顆粒殘留＜0.01個(gè)/cm²，微劃傷密度＜0.05/cm² 吉致電子W鎢拋光液

4. 吉致電子CMP耗材技術(shù)特點(diǎn)
納米顆粒分散技術(shù)：專利型分散劑確保研磨顆粒長(zhǎng)期穩(wěn)定性（＞6個(gè)月）
低缺陷配方：復(fù)合抑制劑體系減少碟形坑（Dishing）與侵蝕（Erosion）
智能pH緩沖：動(dòng)態(tài)維持拋光液活性，延長(zhǎng)使用壽命（＞72hrs連續(xù)作業(yè)）

5. 吉致電子半導(dǎo)體CMP鎢拋光液典型應(yīng)用場(chǎng)景

制程環(huán)節(jié)	具體應(yīng)用
前道制程	鎢通孔（W-Plug）平坦化
后道互連	多層布線鎢栓塞拋光
3D集成	TSV（硅通孔）鎢填充層處理