吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

Template無蠟吸附墊在半導(dǎo)體CMP中的應(yīng)用

在硅片拋光（尤其是化學(xué)機(jī)械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導(dǎo)體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗(yàn)。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴(kuò)散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良

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鉬襯底的應(yīng)用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析

鉬（Mo）襯底憑借其高熔點(diǎn)（2623℃）、高熱導(dǎo)率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性，在半導(dǎo)體、光學(xué)、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對(duì)鉬襯底的主要應(yīng)用場景解析其化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點(diǎn)高達(dá)2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導(dǎo)率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應(yīng)力。高機(jī)械強(qiáng)度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導(dǎo)電性：適

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先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進(jìn)展

化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度，對(duì)集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進(jìn)行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對(duì)材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術(shù)積累可

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吉致電子LED藍(lán)寶石襯底研磨拋光CMP工藝方案

藍(lán)寶石（α-Al2O3）因其高硬度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的光學(xué)性能，成為LED芯片制造的主流襯底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工過程極具挑戰(zhàn)性。吉致電子憑借CMP的研磨拋光技術(shù)，確保藍(lán)寶石襯底表面達(dá)到納米級(jí)平整度，為高性能LED外延生長奠定基礎(chǔ)。本文將詳細(xì)介紹藍(lán)寶石襯底的研磨拋光工藝及其技術(shù)優(yōu)勢。1. 藍(lán)寶石襯底的特性與加工挑戰(zhàn)材料特性：單晶結(jié)構(gòu)，高透光率（80%以上），耐高溫、耐腐蝕。加工難點(diǎn)：硬度高，傳統(tǒng)機(jī)械加工效率低且易產(chǎn)生損傷。表面要求極高（Ra＜0.5nm），否則影響外延層質(zhì)量。晶向（如c面

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吉致電子TSV銅化學(xué)機(jī)械拋光液：助力3D先進(jìn)封裝技術(shù)突破

在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔，并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號(hào)延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計(jì)算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍(lán)寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應(yīng)用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍(lán)寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會(huì)增加劃傷藍(lán)寶石表面的風(fēng)險(xiǎn)，但在實(shí)際應(yīng)用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑

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氧化鋁懸浮液在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中的應(yīng)用與優(yōu)化

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體制造、光學(xué)玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機(jī)械磨削性能和化學(xué)可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導(dǎo)體精密電子材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細(xì)介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應(yīng)用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標(biāo)，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標(biāo)要求顆粒粒徑

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硅片拋光液（Slurry）在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性

在半導(dǎo)體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)硅片表面的納米級(jí)平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進(jìn)制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要

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吉致電子：半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析

在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進(jìn)工藝，對(duì)CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進(jìn)制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高

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比鉆石更硬核！揭秘吉致電子單晶金剛石研磨液密碼

在半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等高端制造領(lǐng)域，材料的超精密加工對(duì)表面質(zhì)量的要求近乎苛刻。傳統(tǒng)的研磨拋光技術(shù)難以滿足納米級(jí)精度需求，而單晶金剛石研磨液憑借其超高的硬度、穩(wěn)定的切削性能和優(yōu)異的表面處理能力，成為超精密加工的核心耗材。吉致電子作為精密研磨材料的領(lǐng)先供應(yīng)商，提供高純度、高一致性的單晶金剛石研磨液，助力客戶突破加工極限。1. 單晶金剛石研磨液的核心組成單晶金剛石研磨液是一種由高純度單晶金剛石微粉、分散劑、穩(wěn)定劑和液體載體（去離子水或油基）組成的精密拋光材料。其核心優(yōu)勢在于：單晶金剛石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局

在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實(shí)現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個(gè)精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級(jí)雕琢：體系中搭載了納米級(jí)的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。

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吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計(jì)的高性能化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實(shí)現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴(yán)苛，尤其是表面粗糙度需達(dá)到納米級(jí)（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機(jī)械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點(diǎn)。一、Inp磷化銦拋光準(zhǔn)備工作材料：準(zhǔn)備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時(shí)準(zhǔn)備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個(gè)特性

在精密制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、晶圓硅片藍(lán)寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強(qiáng)，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長期儲(chǔ)存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：①高硬度與

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吉致電子科普時(shí)間：半導(dǎo)體制造中晶圓和襯底的不同應(yīng)用場景

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓因自身特性不同，有著截然不同的應(yīng)用場景。襯底作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)支撐材料，主要應(yīng)用于早期工藝環(huán)節(jié)。在集成電路制造中，它是后續(xù)外延生長、薄膜沉積等工藝的起始平臺(tái)。比如在生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體時(shí)，硅襯底為生長高質(zhì)量的外延層提供穩(wěn)定基底，保證外延層的晶體結(jié)構(gòu)與襯底晶格匹配，從而為晶體管、二極管等器件的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。在光電器件制造方面，如發(fā)光二極管（LED），藍(lán)寶石襯底常被使用，它為 LED 芯片的生長提供了合適的晶格結(jié)構(gòu)，有助于實(shí)現(xiàn)高效的光電轉(zhuǎn)換。此外，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅襯底因其優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實(shí)現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機(jī)械作用將其去除，從而實(shí)

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團(tuán)圓的美好時(shí)刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風(fēng)云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復(fù)雜，您始終堅(jiān)定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財(cái)富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強(qiáng)大動(dòng)力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準(zhǔn)備工作：對(duì)碳化硅SiC襯底進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時(shí)，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運(yùn)行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動(dòng)供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機(jī)的承載臺(tái)/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機(jī)帶動(dòng)襯底和拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行機(jī)械磨削，同時(shí)拋光液

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吉致電子2025年春節(jié)放假通知

尊敬的吉致電子合作伙伴：您好！舊歲已展千重錦，新年再進(jìn)百尺竿。在這辭舊迎新的美好時(shí)刻，無錫吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯的新春祝福，感謝您一直以來對(duì)我們的支持與信任，您的認(rèn)可與信賴是我們不斷前行的動(dòng)力?；厥走^去一年，我們共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，也一同收獲了成長與進(jìn)步。我們深知，每一次突破與成就，都離不開您的堅(jiān)定支持。您的寶貴建議，讓我們的產(chǎn)品和服務(wù)不斷完善，得以更精準(zhǔn)地滿足您的需求。在此，我們向您表達(dá)最衷心的感謝?，F(xiàn)將我司 2025年春節(jié)放假時(shí)間安排告知如下：放假時(shí)間為 2025 年 1 月&nb

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吉致電子--Apple Logo 無蠟吸附墊

無蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設(shè)計(jì)的工具，其無蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無蠟吸附墊Template主要特點(diǎn)無蠟構(gòu)造：采用無蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細(xì)節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強(qiáng)，顯著延長了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無蠟設(shè)計(jì)減少了對(duì)環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無蠟吸附墊應(yīng)用范圍logo

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