吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點(diǎn)亮鉬材非凡光彩

  無(wú)錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。  吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤(pán)面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過(guò)  化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過(guò)程簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學(xué)氧化腐蝕鉬合金表面，再通過(guò)拋光墊外力研磨去除氧

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吉致藍(lán)寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇

藍(lán)寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍(lán)寶石研磨液，作為一種在精密加工領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料，主要用于藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄，以實(shí)現(xiàn)其表面的高精度和高質(zhì)量處理。一，組成成分藍(lán)寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料，具有極高的硬度和耐磨性，能夠有效地去除藍(lán)寶石表面的材料，實(shí)現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨(dú)特結(jié)構(gòu)使其在研磨過(guò)程中能夠保持良好的切削性能，同時(shí)減少對(duì)工件表面的劃傷2.復(fù)合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中，避免顆粒團(tuán)聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和

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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月，天涯共此時(shí)！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。  無(wú)論您在天涯海角，無(wú)錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團(tuán)圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂(lè)!無(wú)錫吉致電子科技有限公司http://www.simplybyfaithhousing.com/聯(lián)系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新榮路6號(hào)

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吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層，提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機(jī)械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？  藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實(shí)現(xiàn)上、下兩個(gè)平面的實(shí)時(shí)同步加工，有效減小兩個(gè)平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學(xué)機(jī)

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吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，已為數(shù)家百?gòu)?qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長(zhǎng)期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導(dǎo)體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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鈮酸鋰晶體怎么拋光？

 鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡(jiǎn)稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認(rèn)為光電子時(shí)代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開(kāi)關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無(wú)缺陷、無(wú)變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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研磨液和拋光液在半導(dǎo)體芯片加工中的應(yīng)用

  磨削和研磨等磨料處理是半導(dǎo)體芯片加工過(guò)程中的一項(xiàng)重要工藝，主要是應(yīng)用化學(xué)研磨液混配磨料的方式對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，但是研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來(lái) 說(shuō)是十分重要的。拋光和研磨在半導(dǎo)體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運(yùn)用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經(jīng)過(guò)研具與工件在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工件表面進(jìn)行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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藍(lán)寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用

  藍(lán)寶石研磨液(又稱為藍(lán)寶石拋光液)是用于在藍(lán)寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍(lán)寶石研磨液由金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液在藍(lán)寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍(lán)寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍(lán)寶石襯底研磨要求用6um、3

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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國(guó)際第三代半導(dǎo)體年度盛會(huì)--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢(shì)品牌所創(chuàng)立，獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)吉致電子在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認(rèn)可。  后摩爾時(shí)代，發(fā)展正當(dāng)時(shí)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。半導(dǎo)體業(yè)繼往開(kāi)來(lái)進(jìn)入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學(xué)術(shù)報(bào)告、行業(yè)

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛(ài)的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過(guò)最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂(lè)。祝大家：平安喜樂(lè)，萬(wàn)事順?biāo)臁?ldquo;誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠(yuǎn)開(kāi)心快樂(lè)，希望快樂(lè)不止圣誕！

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吉致電子應(yīng)邀出席半導(dǎo)體國(guó)際論壇并斬獲獎(jiǎng)牌

  2023年11月28日第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)開(kāi)幕。IFWS&SSLCHINA是中國(guó)地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強(qiáng)、影響力最大的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際性年度盛會(huì)，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會(huì)，斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢(shì)品牌所創(chuàng)立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對(duì)大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過(guò)CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級(jí)拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無(wú)污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過(guò)CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。  通過(guò)研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對(duì)SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無(wú)損傷的平坦化表面。對(duì)于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來(lái)進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過(guò)程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過(guò)最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤(rùn)滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層，對(duì)基底無(wú)劃傷無(wú)殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤(pán)加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤(pán)由強(qiáng)度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達(dá)到拋光效果，即使有效拋磨時(shí)間也非常漫長(zhǎng)。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過(guò)不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達(dá)到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實(shí)現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過(guò)程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無(wú)錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無(wú)錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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