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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]Template無蠟吸附墊在半導(dǎo)體CMP中的應(yīng)用[ 2025-04-29 15:33 ]
在硅片拋光（尤其是化學機械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導(dǎo)體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動態(tài)]鉬襯底的應(yīng)用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析[ 2025-04-23 09:51 ]
鉬（Mo）襯底憑借其高熔點（2623℃）、高熱導(dǎo)率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機械強度和耐腐蝕性，在半導(dǎo)體、光學、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應(yīng)用場景解析其化學機械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點高達2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導(dǎo)率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應(yīng)力。高機械強度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導(dǎo)電性：適
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[吉致動態(tài)]吉致電子TSV銅化學機械拋光液：助力3D先進封裝技術(shù)突破[ 2025-04-17 15:36 ]
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔，并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料，實現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的
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[吉致動態(tài)]藍寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用[ 2025-04-11 15:47 ]
在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應(yīng)用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍寶石表面的風險，但在實際應(yīng)用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑
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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導(dǎo)體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率。化學機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關(guān)重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]氧化鋁懸浮液在化學機械拋光（CMP）中的應(yīng)用與優(yōu)化[ 2025-04-02 14:04 ]
化學機械拋光（CMP）是半導(dǎo)體制造、光學玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機械磨削性能和化學可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導(dǎo)體精密電子材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應(yīng)用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標要求顆粒粒徑
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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應(yīng)用與優(yōu)勢[ 2025-04-01 15:37 ]
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導(dǎo)體、光學玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調(diào)控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng)（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研
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[行業(yè)資訊]陶瓷基板CMP工藝：無蠟吸附墊技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢[ 2025-03-28 16:03 ]
在半導(dǎo)體、LED、功率電子等領(lǐng)域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性和機械強度被廣泛應(yīng)用。化學機械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關(guān)鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問題。無蠟吸附墊技術(shù)作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢，正逐步成為行業(yè)新標準。無蠟吸附墊技術(shù)原理無蠟吸附墊通過非接觸式固定技術(shù)取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術(shù)①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過真空負壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調(diào)節(jié)吸附力，
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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟。化學機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要
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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高
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[吉致動態(tài)]行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級雕琢：體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應(yīng)相結(jié)合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry？ 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能
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[吉致動態(tài)]吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析[ 2025-03-08 10:10 ]
氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學元件等領(lǐng)域設(shè)計的高性能化學機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準表面處理通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不
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[吉致動態(tài)]吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]
磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴苛，尤其是表面粗糙度需達到納米級（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學機械拋光（CMP）技術(shù)則成為實現(xiàn)原子級平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點。一、Inp磷化銦拋光準備工作材料：準備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時準備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其
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[吉致動態(tài)]吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個特性[ 2025-03-04 17:19 ]
在精密制造領(lǐng)域，化學機械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學領(lǐng)域、晶圓硅片藍寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長期儲存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個方面：①高硬度與
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[常見問題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[常見問題]硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？[ 2025-02-18 13:25 ]
    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅(qū)動器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎(chǔ)材料，用于存儲數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學強化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因為硬盤盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP（化學機械拋光）技術(shù)在光學制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)
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