碳化硅襯底CMP工藝流程如下：

1、準(zhǔn)備工作：對碳化硅SiC襯底進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時(shí)，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運(yùn)行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。

2、拋光液涂覆：通過自動(dòng)供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。

3、CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機(jī)的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機(jī)帶動(dòng)襯底和拋光墊做相對運(yùn)動(dòng)，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進(jìn)行機(jī)械磨削，同時(shí)拋光液中的化學(xué)試劑與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一層易于去除的反應(yīng)層，通過CMP機(jī)械磨削和化學(xué)反應(yīng)的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除和表面平坦化。

4、實(shí)時(shí)監(jiān)測：在拋光過程中，采用在線監(jiān)測技術(shù)，如激光干涉儀、原子力顯微鏡等，實(shí)時(shí)監(jiān)測襯底表面的平整度、粗糙度等參數(shù)，以便及時(shí)調(diào)整拋光工藝參數(shù)，確保拋光質(zhì)量符合要求。

5、后處理：拋光完成后，將碳化硅襯底從承載臺/無蠟吸附墊上取下，進(jìn)行清洗、干燥等后處理操作。清洗主要是去除襯底表面殘留的拋光液和磨料顆粒，防止其對后續(xù)工藝產(chǎn)生影響。干燥后，對襯底進(jìn)行全面的質(zhì)量檢測，包括表面粗糙度、平整度、厚度均勻性等指標(biāo)。 

吉致電子CMP拋光耗材廠家針對碳化硅SiC拋光的4道工藝制程搭配不同型號研磨液、拋光液和拋光墊（粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊）。在研磨和拋光應(yīng)用中提高碳化硅襯底表面質(zhì)量，同時(shí)顯著提高材料去除率。

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