吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產

化學機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液

吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級氧化鋁微粉為原料，經特殊表面改性工藝處理，通過科學配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢：適用于化學機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質;以及藍寶石、碳化硅襯底、光學玻璃、精密陶瓷基板等半導體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出：獨特的抗結晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設備無腐蝕，維護簡便殘留物易清洗，提高生產效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學機械協(xié)同作用機制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質量達到

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從襯底到外延片：半導體材料的層級關系與作用

半導體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導體制造中的兩種關鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結構、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導體器件的“基礎載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍寶石等），提供機械支撐和晶體結構模板。功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結構一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長技術（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學性能（如純度、摻雜濃度）

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CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關鍵保障：在半導體化學機械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質量的關鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質地細膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學玻璃、金屬制品、藍寶石襯底等材質或工件進行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實現(xiàn)原子級表面平整度，是先進制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析

鎢CMP拋光液：半導體關鍵制程材料的技術解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產品定義與技術背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結構的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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【國產替代新選擇】吉致電子IC1000級拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！

半導體CMP工藝中,拋光墊是關鍵耗材，但進口品牌長期占據市場主導。吉致電子作為國內領先的半導體材料供應商，成功研發(fā)生產高性能國產替代IC1000級拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質與微孔結構設計，拋光均勻性、去除率對標進口產品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產化生產，減少供應鏈依賴，價格更具競爭力，降低企業(yè)綜合

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吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專家

吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質基礎材質，歷經多道復雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專為金屬、光學玻璃、陶瓷、半導體芯片等對表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應對并滿足嚴苛的工業(yè)級拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學機械作用，可顯著提升材料去除速率，在對材料去除率有較高要求的場景中，能極大地縮短拋光時間，提升整體生產效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨特的微觀結

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芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅動力

在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性

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金剛石研磨液在CMP工藝中的應用與優(yōu)勢

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體、光學玻璃、陶瓷、硬質合金及精密制造行業(yè)的關鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研

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陶瓷基板CMP工藝：無蠟吸附墊技術解析與應用優(yōu)勢

在半導體、LED、功率電子等領域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導熱性、絕緣性和機械強度被廣泛應用?；瘜W機械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問題。無蠟吸附墊技術作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢，正逐步成為行業(yè)新標準。無蠟吸附墊技術原理無蠟吸附墊通過非接觸式固定技術取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過真空負壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調節(jié)吸附力，

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半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料

在半導體制造領域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？ 半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質組成的精密材料。在CMP工藝中

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CMP化學機械工藝中金剛石研磨液的關鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進制造領域，CMP 化工學機械工藝作為實現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學作用與機械磨削，能夠在原子尺度上對材料表面進行精確修整，廣泛應用于半導體、光學元件、精密模具等眾多高端產業(yè)。而在 CMP 工藝的復雜體系中，金剛石拋光液堪稱其中的關鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關乎最終的拋光質量與加工效率。用于 CMP 化工學機械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點：高硬度與強切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質，具有出色的切削能力。在 C

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CMP拋光液：從第一代到第三代半導體材料的精密拋光利器

隨著半導體技術的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導體材料中的應用第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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精密制造新標桿：吉致電子藍寶石研磨液技術解析

藍寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱為藍寶石拋光液，是專為藍寶石材料精密加工而設計的高性能拋光液。產品廣泛應用于藍寶石襯底、外延片、光學窗口、藍寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿足高平坦度、高表面質量的加工需求。吉致電子藍寶石拋光液由高純度磨粒、復合分散劑和分散介質精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結晶，確保拋光過程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時避免對工件表面造成物理損傷

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突破技術壁壘：國產拋光墊替代Suba800的崛起之路

國產替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產品在近年來取得了顯著的技術進步，逐漸在半導體集成電路市場上占據一席之地。以下是Suba拋光墊國產替代產品的優(yōu)勢和特點：一、Suba拋光墊國產替代產品的優(yōu)勢1.成本優(yōu)勢?國產CMP拋光墊的價格通常比進口產品低，能夠顯著降低生產成本，尤其適合對成本敏感的企業(yè)。?減少了進口關稅和物流費用，進一步降低了采購成本。2.供應鏈穩(wěn)定?國產化生產避免了國際供應鏈的不確定性（如貿易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應速度更快。?國內廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務，支持

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CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學機械拋光）技術在光學制造領域確實扮演著至關重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結合，能夠實現(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)

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無蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無蠟吸附墊的設計充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無蠟吸附墊的介紹：組合式無蠟拋光吸附墊 結構：包括基布、吸附結構和粘貼結構。吸附結構由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時減少吸附力的作用；粘貼結構包括無殘留雙面膠和離型紙，無殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無殘留雙面膠上 。 優(yōu)點：

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吉致電子：SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關鍵材料，通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調整化學試劑的種類和濃度，增強

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半導體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導致的晶圓破裂，提高生產效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產替代

  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場中，高端領域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產品被廣泛采用，同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產品。此外，日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關鍵角色，其主打產品包括G804W、728NX和FPK66等型號。  在競爭激烈的半導體集成電路市場中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產品外，國內一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新，試圖打破現(xiàn)有的市場格局，為

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吉致電子：碲鋅鎘襯底用什么拋光液？

  碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導體材料，其化學式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外，它還具有良好的化學穩(wěn)定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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