SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關鍵材料，通過拋光液化學腐蝕和拋光墊機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：

①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調整化學試劑的種類和濃度，增強化學腐蝕作用。

②表面損傷控制：在拋光過程中，容易因機械應力和化學反應產(chǎn)生表面損傷，如微裂紋、晶格畸變等。通過精確控制拋光工藝參數(shù)，如壓力、轉速、拋光時間等，以及選擇合適的拋光墊（CMP PAD）材料和拋光液（CMP Slurry），來減少表面損傷。例如，采用柔軟且具有良好彈性的無紡布拋光墊/阻尼布拋光墊，Suba拋光墊等，降低機械應力，同時添加一些具有緩沖和修復作用的添加劑。

③拋光均勻性：保證整個襯底表面的拋光均勻性是一個難題。優(yōu)化拋光設備的結構和運動方式，以及改進碳化硅拋光液的涂覆方式和分布均勻性。例如，采用多點供液系統(tǒng)，使拋光液能更均勻地覆蓋在拋光墊上，同時通過調整拋光墊的材質和表面結構，改善其與襯底的接觸均勻性。

  吉致電子的CMP碳化硅拋光液生產(chǎn)技術是引進國外生產(chǎn)技術和設備，特殊化學配方制備而成。吉致電子拋光液品質可以媲美進口同類產(chǎn)品。本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快，品質好，拋光液價格實惠親民

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