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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代|吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術(shù):半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一,直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中,CMP通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)原子級表面平坦化(粗糙度<0.2nm),滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光:納米級磨料(如膠體SiO2)精準(zhǔn)去除表面凸起,提升硅片平整度,減少微劃痕。②潤滑保護:特殊添加劑降低摩擦系數(shù)(<0.05),減少
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[行業(yè)資訊]化學(xué)機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液[ 2025-05-28 14:39 ]
吉致電子氧化鋁精拋液(CMP Slurry)采用高純度分級氧化鋁微粉為原料,經(jīng)特殊表面改性工藝處理,通過科學(xué)配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢:適用于化學(xué)機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍寶石、碳化硅襯底、光學(xué)玻璃、精密陶瓷基板等半導(dǎo)體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出:獨特的抗結(jié)晶配方,確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設(shè)備無腐蝕,維護簡便殘留物易清洗,提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越:創(chuàng)新的化學(xué)機械協(xié)同作用機制,顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝,確保拋光面質(zhì)量達到
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[吉致動態(tài)]吉致電子:半導(dǎo)體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導(dǎo)體陶瓷的化學(xué)機械拋光(CMP)工藝中,吉致電子(JEEZ Electronics)作為國產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商,其拋光液(Slurry)和拋光墊(Polishing Pad)等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點,半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案:吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型:納米氧化硅(SiO2)漿料:適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷,通過表面氧化反應(yīng)(如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[行業(yè)資訊]吉致電子:鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液:半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機械拋光液(Tungsten CMP Slurry)是用于半導(dǎo)體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料,通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)納米級表面精度(Ra<0.5nm),滿足高密度集成電路(IC)對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率:200-600 nm/min(可調(diào),適配不同工藝節(jié)點)非均勻性(WIWNU):<3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動態(tài)]先進半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry:銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進展[ 2025-04-22 16:26 ]
化學(xué)機械平坦化(CMP)工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù),其通過化學(xué)與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度,對集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析:一、CMP工藝核心要素拋光液(Slurry)化學(xué)組分:氧化劑(如H2O2用于Cu CMP)、磨料(納米SiO2/Al2O3)、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑,需針對材料特性(如Cu/W/SiC)定制配方。關(guān)鍵參數(shù):材料去除率(MRR)、選擇比(Selectivity)、表面粗糙度(Ra<0.5nm)及缺陷控制(如劃痕≤30nm)。吉致電子優(yōu)勢:25年技術(shù)積累可
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[行業(yè)資訊]芯片拋光液(CMP Slurry):半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導(dǎo)體制造的精密世界里,納米級別的表面平整度宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺,直接主宰著芯片的性能與良率?;瘜W(xué)機械拋光(CMP)工藝宛如一位技藝精湛的大師,借助化學(xué)與機械的協(xié)同之力,達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液(CMP Slurry),無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”,發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子,作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘,以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中,拋光液肩負(fù)著至關(guān)重要的雙重功能:化學(xué)腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]硅片拋光液(Slurry)在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中,硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟。化學(xué)機械拋光(CMP, Chemical Mechanical Polishing)技術(shù)通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)硅片表面的納米級平整,而硅片拋光液(Slurry)作為CMP工藝的核心耗材,其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子(Geeze Electronics)作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商,致力于提供高性能硅片拋光液解決方案,助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液,主要
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[吉致動態(tài)]吉致電子半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中,化學(xué)機械拋光(CMP)是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟,而拋光液(Slurry)的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝,對CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商,吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù),助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成,通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒:SiO?(二氧化硅):廣泛用于氧化物拋光,具有高
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[吉致動態(tài)]行業(yè)聚焦:硅片CMP研磨拋光液,如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域,Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位,是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液(CMP Slurry)、拋光墊(CMP Pad)作為硅片化學(xué)機械拋光(CMP)工藝的核心耗材,為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成,協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調(diào)配的多元體系,每一組分都各司其職,協(xié)同作用,共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料,微米級雕琢:體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry:精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料,廣泛應(yīng)用于化學(xué)機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式,幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化,為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry? 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]精密制造新標(biāo)桿:吉致電子藍寶石研磨液技術(shù)解析[ 2025-03-13 15:28 ]
藍寶石研磨液Sapphire Slurry,也稱為藍寶石拋光液,是專為藍寶石材料精密加工而設(shè)計的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于藍寶石襯底、外延片、光學(xué)窗口、藍寶石晶圓(Wafer)的減薄和拋光工藝,能夠滿足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍寶石拋光液由高純度磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成,具有以下顯著優(yōu)勢:1.高穩(wěn)定性:懸浮體系穩(wěn)定,不易沉降或結(jié)晶,確保拋光過程的一致性;2.高效拋光:拋光速度快,顯著提升加工效率;3.精密加工:采用納米SiO2粒子作為磨料,可在高效研磨的同時避免對工件表面造成物理損傷
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[吉致動態(tài)]吉致電子:Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析[ 2025-03-08 10:10 ]
氧化層拋光液(OX slurry)是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計的高性能化學(xué)機械拋光(CMP)材料。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng),精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整,從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程,是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下:一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過化學(xué)腐蝕與機械研磨協(xié)同作用,定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不
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[常見問題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液:銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學(xué)機械拋光液(Copper CMP Slurry)是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學(xué)機械拋光(CMP)的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能,取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用,確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu),CU CMP Slurry通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的結(jié)合,實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成:主要磨料顆粒(Abrasive Particles)有二氧化硅(
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP(化學(xué)機械拋光)技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過化學(xué)腐蝕和機械研磨的結(jié)合,能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理,滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域:①精密光學(xué)鏡頭:在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學(xué)系統(tǒng)中,通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化,成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口:航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)
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[吉致動態(tài)]磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)[ 2025-02-07 11:33 ]
磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機械平面研磨工藝(CMP)的關(guān)聯(lián)磷化銦(InP)作為第二代半導(dǎo)體材料的代表,因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能,在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵,其中化學(xué)機械平面研磨工藝(CMP)扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術(shù),通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一層易于去除的軟化層,再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除,從而實
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[吉致動態(tài)]為什么不能用機械磨削grinding代替cmp?[ 2025-01-09 15:29 ]
  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝?盡管在芯片制程中也存在減薄需求,為何選擇cmp工藝而非grinding?Grinding與cmp工藝的原理是什么?Grinding,即機械磨削,是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液,而是利用超純水進行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。相比之下,cmp即化學(xué)機械研磨,結(jié)合了化學(xué)反應(yīng)與機械力來去除材料。目標(biāo)材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應(yīng),隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下,通過機械力去除
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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊:從粗到精,體驗高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP(化學(xué)機械拋光)拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機械研磨的方式,能夠有效地去除晶圓表面的多余材料,從而達到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成,表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu),以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry,從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換,以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料,因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質(zhì)量
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[吉致動態(tài)]阻尼布拋光墊:提升工件CMP表面平坦度的秘訣[ 2024-11-15 16:15 ]
  絨面拋光墊,亦稱阻尼布拋光墊,是由PU發(fā)泡微孔隙結(jié)構(gòu)與底層特殊基材相結(jié)合的獨特復(fù)合材料。其表層的細微開孔和高壓縮率特性,使得拋光液Slurry得以充分涵養(yǎng),從而促進機械與化學(xué)反應(yīng)的充分作用。此外,表層優(yōu)秀的研磨液流動性有助于提升工件表面的潔凈度,降低表面粗糙度,并減少橘皮和微劃傷等缺陷。  阻尼布拋光墊廣泛應(yīng)用于各種精密加工領(lǐng)域,如半導(dǎo)體、液晶顯示屏、光學(xué)玻璃等。其優(yōu)異的拋光性能不僅能夠滿足高精度的表面處理要求,而且在提高生產(chǎn)效率和降低材料消耗方面也表現(xiàn)出色。由于其獨特的材料結(jié)構(gòu),絨面拋光墊
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[行業(yè)資訊]吉致電子---Si硅片拋光液,為半導(dǎo)體護航[ 2024-11-07 16:12 ]
  半導(dǎo)體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體,在半導(dǎo)體材料的CMP加工過程中起著至關(guān)重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍色透明溶液。半導(dǎo)體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面,Si Slurry能夠有效地去除半導(dǎo)體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起,使硅片表面更加光滑平整。例如,經(jīng)過拋光液處理后,晶片表面的微粗糙度可以達到 0.2nm 以下。在潤滑作用中,它可以減少硅片與拋光設(shè)備之間的摩擦,降低磨損,延長設(shè)備的使用壽命。同時,在拋光過程中會產(chǎn)生熱量,而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量,防止硅片
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[行業(yè)資訊]吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀[ 2024-10-25 11:44 ]
  目前,全球磷化銦(InP)晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗,在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下,國內(nèi)企業(yè)的磷化銦(InP)晶圓拋光液研發(fā)起步較晚,但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展,國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進入市場,國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入,努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品
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