- [吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
- 吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過(guò)程中的關(guān)鍵材料。通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光,能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度,為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如,在集成電路的生產(chǎn)中,鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì),達(dá)到表面平坦化效果,確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光,因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能,在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過(guò)CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件,表面粗糙度極低
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
- 半導(dǎo)體拋光液種類有哪些?CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光,半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。就拋光工藝而言,不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程,28nm制程需要12~13次CMP,進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍,達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個(gè)門電路,使各門電路之間互不導(dǎo)通,STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]
- CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下,工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),形成易去除的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域,且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷;④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外,其表面組織
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- [行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]
- 鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應(yīng)用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高(不溶與水),居里點(diǎn)高于600℃,不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象,介電損耗低,探測(cè)率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測(cè)器的應(yīng)用材料。 經(jīng)過(guò)CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性
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- [吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]
- 吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有:半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括:拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控,多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù),已為數(shù)家百?gòu)?qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長(zhǎng)期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列:半導(dǎo)體集成電路:Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
- 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。 CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs
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- [應(yīng)用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
- 不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。隨著對(duì)鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高,同時(shí)為了提高拋光效率,新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機(jī)械拋光 被廣泛應(yīng)用。吉致電子針對(duì)不銹鋼表面鏡面處理,配制組成的CMP拋光液,通過(guò)化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性,同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光,用來(lái)消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)環(huán)境污染最小,不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好,快速有效降低原始工件表面粗糙度,經(jīng)過(guò)粗拋和精拋工藝能達(dá)到鏡面效果,無(wú)劃傷、無(wú)凹坑、無(wú)麻點(diǎn)橘皮。根據(jù)金屬的種
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]
- 氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛,如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩(wěn)定性好,α相轉(zhuǎn)晶完全,團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。 吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有
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- [應(yīng)用案例]氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光[ 2023-10-20 16:16 ]
- 氧化鋁陶瓷片的表面拋光具有一定難度,原因有兩個(gè),一是氧化鋁材質(zhì)硬度較高,難以研磨。其二,氧化鋁陶瓷表面吸光性較強(qiáng),普通拋光難以達(dá)到鏡面效果。這就使得氧化鋁陶瓷拋光的難度無(wú)限擴(kuò)大,針對(duì)這些加工難點(diǎn),吉致電子已經(jīng)具備成熟的拋光工藝和產(chǎn)品,有完善的氧化鋁陶瓷拋光方案。 客戶的氧化鋁陶瓷片,要求做鏡面加工。拋光氧化鋁陶瓷都是采用鐵盤開粗,然后用白布拋光,但是這種效率非常慢,白布拋光要耗費(fèi)30-40分鐘后才能達(dá)到鏡面,效率太低是批量加工無(wú)法接受的。吉致電子CMP拋光液和拋光墊結(jié)合,可以快速磨拋氧化鋁
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- [吉致動(dòng)態(tài)]生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液[ 2023-09-28 16:01 ]
- 生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢?通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等,但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn),配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料,粒徑均一穩(wěn)定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層,對(duì)基底無(wú)劃傷無(wú)殘留,吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品相比,具有易清洗、表面粗糙度
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別[ 2023-08-18 16:58 ]
- 常用的半導(dǎo)體拋光液,按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。 銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值,為拋光過(guò)程
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- [行業(yè)資訊]半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中[ 2023-06-23 11:09 ]
- 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動(dòng)上游材料需求增長(zhǎng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中。 CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號(hào)有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n
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- [行業(yè)資訊]CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
- 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講,半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。 前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。 晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]CMP常用化學(xué)拋光液有哪些[ 2023-05-17 10:42 ]
- CMP技術(shù)(化學(xué)機(jī)械研磨)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項(xiàng)技術(shù),在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多,通過(guò)CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì),達(dá)到工件表面平坦化,保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。 拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分,它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物,以達(dá)到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些?常見(jiàn)的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈰(CeO2)氮化硅(Si3N4)等。不同的
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- [常見(jiàn)問(wèn)題]藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]
- 吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍(lán)寶石拋光液。專業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成,具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。 通過(guò)CMP工藝搭配藍(lán)寶石專用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產(chǎn)品受到污染。 &n
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- [應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
- 根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著關(guān)鍵作用,拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。 近年來(lái),在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,進(jìn)而帶動(dòng)
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- [行業(yè)資訊]CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用[ 2023-03-03 14:01 ]
- 吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn):(1)磨料類型多樣化,包含單晶、多晶、類多晶及納米級(jí)金剛石等;(2)金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型;(3)金剛石研磨液粘度可調(diào)整,包含低粘度、中等粘度和高粘度;吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域:1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工:藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工:氧化鋯指紋識(shí)別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工:不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry,CMP拋光液粒度規(guī)
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- [吉致動(dòng)態(tài)]CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點(diǎn)[ 2023-03-03 09:15 ]
- 通?;瘜W(xué)機(jī)械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液(又稱稀土拋光液)。 納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進(jìn)的分散工藝,將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中,形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應(yīng)用中,納米CeO2拋光液相對(duì)硅溶膠,具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢(shì),且PH中性,使用壽命長(zhǎng)、對(duì)拋光表面污染小,不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上,尤其是拋光超薄硅片,納米氧化鈰
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- [吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見(jiàn)的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
- CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括:磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同,分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含:金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含:各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。 根據(jù)拋光對(duì)象不同,拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中,銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過(guò)程,在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中,鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線;硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過(guò)程中。吉致電子常見(jiàn)的CMP研
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- [行業(yè)資訊]拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?[ 2023-02-17 15:50 ]
- CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料? CMP拋光液越來(lái)越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光,科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加,對(duì)CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料,為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 目前,第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力
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