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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子TSV銅化學(xué)機(jī)械拋光液:助力3D先進(jìn)封裝技術(shù)突破[ 2025-04-17 15:36 ]
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下,TSV(Through-Silicon-Via,硅通孔技術(shù))作為前沿的芯片互連技術(shù),正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過(guò)在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔,并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料,實(shí)現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合(Wire Bonding)、TAB 和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù),TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長(zhǎng)度,大幅降低信號(hào)延遲與功耗,顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度,已然成為高性能計(jì)算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的
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[常見問(wèn)題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液:銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液(Copper CMP Slurry)是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能,取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用,確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu),CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合,實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成:主要磨料顆粒(Abrasive Particles)有二氧化硅(
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[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著關(guān)鍵作用,拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來(lái),在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,進(jìn)而帶動(dòng)
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[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)?[ 2023-02-24 15:34 ]
銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)?TSV全稱為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì):TSV可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度,減小信號(hào)延遲,降低電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子
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