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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨[ 2024-09-13 18:28 ]
  藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層,提升藍寶石晶片的表面質(zhì)量,從而達到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一,那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的,研磨拋光耗材該怎么選?  藍寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工,有效減小兩個平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差,具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層,而化學機
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[吉致動態(tài)]藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用[ 2024-02-23 14:34 ]
  藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性,在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序,根據(jù)最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3
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[行業(yè)資訊]藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液[ 2023-05-09 17:07 ]
 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學、機械和電子應(yīng)用提供了強度、耐磨性、化學惰性適用于光學和激光應(yīng)用,這些藍寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學和激光應(yīng)用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝,藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成,具有懸浮性好,不易結(jié)晶,易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨,研磨后的工件表面粗糙度低,無劃傷,表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液,性能穩(wěn)
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[常見問題]藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]
  吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成,具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點。   通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n
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[常見問題]藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液[ 2023-02-06 16:10 ]
藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液?藍寶石拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液,是一種高純度的氧化硅拋光液,廣泛應(yīng)用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍寶石拋光液主要用于藍寶石襯底研磨減薄,藍寶石A向拋光液,藍寶石C向拋光液等。拋光范圍如:硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍寶石拋光液Sapphire Slurry的特點:1.高純度(Cu含量小于50 ppb),有效減小對電子類產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率,利用大粒徑的膠
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[應(yīng)用案例]藍寶石晶圓研磨拋光[ 2022-12-28 13:57 ]
  藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值,具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度,高效率和高穩(wěn)定性的機器和工藝,使用吉致電子藍寶石拋光液和拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現(xiàn)這一過程。  通過使用CMP拋光工藝,可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除,并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載,可以實現(xiàn)每小時1-2μm的材料去除率(MRR)。  藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從
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[常見問題]吉致電子拋光液---溫度對藍寶石襯底CMP工藝的影響[ 2022-12-08 15:40 ]
  溫度在藍寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個環(huán)節(jié)。  在CMP工藝的化學反應(yīng)過程和機械去除過程這兩個環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學腐蝕嚴重, 表面完美性差。所以, 藍寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs
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[常見問題]藍寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響[ 2022-12-08 11:33 ]
藍寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明,在其它條件相同情況下, 隨著藍寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍寶石拋光液的質(zhì)量分數(shù)為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分數(shù)增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分數(shù)繼續(xù)增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,
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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光液的成分[ 2022-09-21 15:41 ]
  藍寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等,拋光液是影響CMP(化學機械拋光)效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標是流動性好,分散均勻,在規(guī)定時間內(nèi)不能產(chǎn)生團聚、沉淀、分層等問題,磨料懸浮性能好,拋光速率快,易清洗且綠色環(huán)保等。  其中,磨料主要影響化學機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料,也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光
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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光液如何選?[ 2022-08-17 17:07 ]
  隨著科技的發(fā)展和迭代,3C科技產(chǎn)品對玻璃面板的要求越來越高,需要硬度更高且不容易劃傷的玻璃,因此藍寶石材質(zhì)的應(yīng)用和需求越來越廣泛,如手機藍寶石屏幕、藍寶石攝像頭、藍寶石手表等。藍寶石的特點是硬度高,脆性大,所以加工難度也大。  因此,很有必要研究并升級CMP拋光工藝在藍寶石窗口上的應(yīng)用。目前國內(nèi)批量生產(chǎn)藍寶石襯底的技術(shù)還不成熟,切割出來的藍寶石晶片有很深的加工痕跡,拋光后容易形成麻點或劃痕。在藍寶石襯底的生產(chǎn)中,裂紋和崩邊的情況比較高,占總數(shù)的5%-8%。拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素很多,如
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