SIT Slurry平坦化流程與方法
半導(dǎo)體CMP工藝拋光液---STI淺槽隔離拋光液slurry的應(yīng)用:
淺槽隔離(shallow trench isolation),簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝,通常用于亞0.25um工藝以下,利用掩模完成選擇性氧化,主要絕緣材料是淀積SiO?,淺槽隔離主要分為三個(gè)部分:槽刻蝕,氧化硅填充,氧化硅平坦化。
一,槽刻蝕
1,隔離氧化硅生成:氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染
2,氮化硅(Si3N4)淀積:氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料,有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過程中保護(hù)有源區(qū);在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料
3,淺槽刻蝕:用氟基和氯基氣體離子刻蝕
二,氧化硅(SiO2)填充
1,溝槽襯墊氧化硅:高溫生長一層150A的氧化硅
2,淺槽CVD氧化物填充:淀積氧化硅
三,氧化硅平坦化
吉致電子STI Slurry淺槽隔離拋光液適用于集成電路、半導(dǎo)體工件當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率,碟型凹陷可調(diào),低缺陷等特性??蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留,以防銅表面腐蝕,降低表面缺陷。
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