半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry
Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝,應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。
CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過(guò)程,而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn),通過(guò)拋光液/研磨液(slurry)與拋光墊(Pad)化學(xué)機(jī)械作用,在保證材料去除效率的同時(shí),得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度,獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性,實(shí)現(xiàn)納米級(jí)甚至原子級(jí)的表面粗糙度,同時(shí)還能保證較小的表面損失程度。 基于簡(jiǎn)單的物理和化學(xué)原理過(guò)程,CMP工藝就能得到精準(zhǔn)和穩(wěn)定的微觀工藝結(jié)果,因此它已經(jīng)成為集成電路制造工藝流程中一種最廣泛采用且不斷擴(kuò)張應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)。
CMP工藝的獨(dú)特之處是可以通過(guò)不同拋光液和拋光墊組合來(lái)滿足不同工件的拋磨工藝。根據(jù)對(duì)象的不同,CMP工藝主要分為硅拋光(Poly CMP)、硅氧化物拋光(Silicon Oxide CMP)、碳化硅拋光 ( Silicon Carbide CMP)、鎢拋光(W CMP)和銅拋光 (Cu CMP)。
CMP拋光液參與到制造和TSV封裝微芯片的各個(gè)階段,從而去除平坦化晶片前表面上的多余材料,或者為添加下一層電路功能創(chuàng)建一個(gè)完美的平坦基礎(chǔ),以保證晶片表面完全平坦化。
吉致電子25年拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn),為各行業(yè)客戶提供材料表面加工及研磨拋光解決方案,主營(yíng):碳化硅晶片研磨液、鉬拋光液、硅片拋光液、藍(lán)寶石拋光液、金剛石研磨液、氧化鋁精拋液、半導(dǎo)體材料、光學(xué)材料拋光液、紅外球罩拋光、金屬材料鏡面拋光。積極融入國(guó)產(chǎn)slurry替代大局中,與國(guó)內(nèi)主流的晶圓制造廠商均有深度合作,研發(fā)定制化的CMP產(chǎn)品逐步打破壁壘。
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