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[吉致動態(tài)]半導體拋光墊---吉致電子Suba pad替代[ 2024-12-10 15:14 ]

在半導體硅片、襯底、光學玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領(lǐng)域，CMP拋光工藝是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，而CMP拋光墊（CMP Pad）則是這一環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生產(chǎn)的SUBA拋光墊（Suba Pad）備受矚目。陶氏公司生產(chǎn)的SUBA拋光墊在CMP化學機械研磨方面有著優(yōu)異的拋光性能，尤其在拋光半導體晶圓方面效果顯著。半導體晶圓和襯底是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質(zhì)量。SUBA拋光墊憑借其獨特的材料和結(jié)構(gòu)，能夠使拋光過程達到一

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[吉致動態(tài)]碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅拋光工藝的實質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關(guān)工藝

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[吉致動態(tài)]金屬鉬片的CMP拋光工藝[ 2023-12-13 17:09 ]

工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學和機械性能。由于原子間結(jié)合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導電率大，導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩(wěn)定。&

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[吉致動態(tài)]半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液[ 2023-10-31 17:20 ]

拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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[常見問題]如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題[ 2023-05-09 17:17 ]

二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問題但如果處理不當，很可能會導致工件表面劃傷甚至報廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢？首先要了解硅溶膠拋光液的特點屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實際CMP拋光工藝當中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉(zhuǎn)動、流動，結(jié)晶情況較少。因此氧化

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[常見問題]不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響[ 2023-02-16 15:22 ]

不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當拋光效果不盡人意時，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進行評估和優(yōu)化，同時對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

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[常見問題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。 CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。在半導體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

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[吉致動態(tài)]硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密[ 2023-01-06 13:52 ]

吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導體晶圓、光學玻璃、3C電子金屬元件、藍寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學名，適用范圍已擴展到半導體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。 CMP拋光機可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時起到潤滑和冷卻的作用，通過拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達到0.2um

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[應用案例]藍寶石晶圓研磨拋光[ 2022-12-28 13:57 ]

藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值，具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度，高效率和高穩(wěn)定性的機器和工藝，使用吉致電子藍寶石拋光液和拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現(xiàn)這一過程。通過使用CMP拋光工藝，可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除，并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載，可以實現(xiàn)每小時1-2μm的材料去除率（MRR）。藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從

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[行業(yè)資訊]稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類[ 2022-11-29 16:27 ]

隨著光學技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對光學元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長，在光學精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學鏡片的

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[應用案例]玉石拋光液---玉石表盤的CMP拋光工藝[ 2022-11-15 14:12 ]

一款玉石制成的腕表，優(yōu)雅大氣，彰顯如玉的君子氣質(zhì)。和田玉表盤的去粗及拋磨拋亮，是可以通過CMP化學機械拋光工藝來實現(xiàn)。玉石表面亮度還受兩個因素的影響：一是玉料的材質(zhì)，二是玉料的結(jié)構(gòu)，雖然大多數(shù)玉料都是晶體結(jié)構(gòu)，但晶體的粒度和分布狀況不同，呈纖維狀的玉料易于拋光，呈粒狀纖維的玉料不容易拋光。通過吉致電子玉石拋光液與拋光墊的組合拋磨，去除毛坯料表面凹凸不平劃痕，還原玉石本真的光澤，拋光后表盤工件看起來綿密細膩、油脂感足。通過CMP拋光玉石的優(yōu)點是可以快速減薄尺寸，拋光效率快、亮

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[行業(yè)資訊]陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝[ 2022-11-10 13:32 ]

陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達到表面光潔度或鏡面效果。 CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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[吉致動態(tài)]不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光[ 2022-11-04 16:11 ]

手機、電腦、平板電腦等移動終端設(shè)備，會用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達到增強光澤度和平坦度，金屬手機工件需要Logo拋光、攝像頭保護件拋光、手機按鍵拋光、手機邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。吉致電子不銹鋼拋光液針對這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料?？捎糜诓讳P鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過特殊配方調(diào)配，化學拋光作用溫和，對機臺和工

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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光液如何選？[ 2022-08-17 17:07 ]

隨著科技的發(fā)展和迭代，3C科技產(chǎn)品對玻璃面板的要求越來越高，需要硬度更高且不容易劃傷的玻璃，因此藍寶石材質(zhì)的應用和需求越來越廣泛，如手機藍寶石屏幕、藍寶石攝像頭、藍寶石手表等。藍寶石的特點是硬度高，脆性大，所以加工難度也大。因此，很有必要研究并升級CMP拋光工藝在藍寶石窗口上的應用。目前國內(nèi)批量生產(chǎn)藍寶石襯底的技術(shù)還不成熟，切割出來的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后容易形成麻點或劃痕。在藍寶石襯底的生產(chǎn)中，裂紋和崩邊的情況比較高，占總數(shù)的5%-8%。拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素很多，如

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