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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[行業(yè)資訊]吉致電子化學(xué)抗性無蠟吸附墊：半導(dǎo)體晶圓拋光專屬解決方案[ 2025-07-10 16:53 ]
在精密半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，拋光工藝的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定晶圓品質(zhì)。吉致電子憑借對材料科學(xué)與工藝參數(shù)的深度理解，推出化學(xué)抗性無蠟吸附墊，以獨家定制化設(shè)計打破傳統(tǒng)模板局限，為碳化硅SiC晶圓及高錳酸鉀（KMnO4）基漿料等嚴(yán)苛環(huán)境提供高耐久、超潔凈的拋光背附解決方案。一，精準(zhǔn)匹配：從工藝需求到定制化設(shè)計每一款拋光背附板的性能都需與客戶的生產(chǎn)場景深度契合?；瘜W(xué)抗性吸附墊的設(shè)計流程始于全面調(diào)研——從工件特性、漿料化學(xué)性質(zhì)（pH值、腐蝕性）到設(shè)備參數(shù)（壓力、溫度），吉致電子通過定制化圖紙，精準(zhǔn)適配材料厚
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[行業(yè)資訊]吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定[ 2025-06-19 17:02 ]
在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝存在效率低、良率受限等痛點，而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP（化學(xué)機械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計，可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點效率瓶頸蠟?zāi)Ｐ杓訜?冷卻固化，單次裝夾耗時30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復(fù)雜，增加非生產(chǎn)
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點[ 2025-01-16 16:42 ]
碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，
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[常見問題]半導(dǎo)體晶圓拋光墊的類型有哪些[ 2025-01-10 14:59 ]
一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導(dǎo)體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過程中得到妥善保護，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類和特點1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見類型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場合。它的拋光效果出色，使用壽命較長，但價格相對較高。2. 聚酯(PET)拋光
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[行業(yè)資訊]金剛石懸浮液在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用[ 2024-11-26 16:03 ]
    金剛石懸浮液（CMP研磨液）在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用：適用于半導(dǎo)體晶圓拋光液CMP加工，藍寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片。    金剛石懸浮液在半導(dǎo)體晶圓的CMP研磨拋光中發(fā)揮著重要作用。以藍寶石襯底為例，藍寶石材質(zhì)硬度較高，傳統(tǒng)的研磨液難以達到理想的拋光效果，而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒，能夠快速去除藍寶石襯底表面的材料，同時保證加工表面的光潔度。對于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片，金剛石懸浮液同樣表
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[行業(yè)資訊]吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀[ 2024-10-25 11:44 ]
  目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗，在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下，國內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展，國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進入市場，國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品
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[常見問題]CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
  半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的
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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅襯底CMP化學(xué)機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精
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